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如果元件阻值不同,串联时电阻高的硅碳棒负荷较集中,易导致某一根的电阻快速增加,寿命变短。
硅碳棒一般是串、并联接线结合使用。
建议采用2根串联为一组后多组并联。
特别当炉内温度超过1350℃时必须并联。
三相接线时建议使用公开三角形接线。
实践证明:负荷密度大则发热体表面温度与炉膛温度之差也大。
负荷密度大则棒体表面温度高,电阻增长快,元件的寿命短。
因此,硅碳棒表面温度负荷,密度,炉内气氛,温度与元件老化速度成正比,与元件的寿命成反比。
碳化硅元件在连续式窑炉与间歇式窑炉中,前者的寿命较长。
这是因为元件在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜,长时间使用使二氧化硅皮膜增加,阻值也随之增加。
二氧化硅薄膜在结晶临界点(270℃)附近发生异常膨胀、收缩。
因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动,所以反复破二氧化硅薄膜,加速氧化。
因此炉温经常降至室温时会急剧增加电阻,导致元件使用寿命缩短。

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