一种双结层太阳能电池及其制造方法

2008-7-31   来源：国家知识产权局   点击数：779次

申 请 号： 200610039199.4 申 请 日： 2006.03.23 名 称： 一种双结层太阳能电池及其制造方法 公 开 (公告) 号： CN1851935 公开(公告)日： 2006.10.25 主 分 类 号： H01L31/042(2006.01)I 分案原申请号： 分 类 号： H01L31/042(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 颁 证 日： 优 先 权： 申请(专利权)人： 姜堰新金太阳能光伏制造有限公司 地 址： 225500江苏省姜堰市高新技术创业中心(新328国道南侧) 发 明 (设计)人： 成顺康;黄金鹿;成 砾;吴 娟;王秀娟 国 际 申 请： 国 际 公 布： 进入国家日期： 专利 代理 机构： 代 理 人： 摘要　   本发明公开了一种双结层太阳能电池及其制造方法，其结构为基底(4) -银电极层(5)/金属氧化物透明导电层(6)/n型微晶硅(7)-i型微晶硅(8)-p型非晶硅或p型微晶硅(9)/金属氧化物透明导电层(10)/n 型微晶硅(11)-i型非晶硅(12)-p型微晶硅(13)/ITO透明导电层(14)。底层p-i-n结中的i层由微晶硅形成，可避免太阳能电池因光照过久，产生光电性能衰退的现象，而上层的p-i-n结中的i层使用非晶硅镀制，由于非晶硅的光吸收效果较微晶硅为佳，使太阳能电池光谱吸收增大，可获得高效率的太阳能电池。采用本发明提高了电池的转换效率及使用寿命。

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