一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法

2008-7-31   来源：国家知识产权局   点击数：610次

申 请 号： 200610025284.5 申 请 日： 2006.03.30 名 称： 一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法 公 开 (公告) 号： CN1851900 公开(公告)日： 2006.10.25 主 分 类 号： H01L21/762(2006.01)I 分案原申请号： 分 类 号： H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I 颁 证 日： 优 先 权： 申请(专利权)人： 上海理工大学 地 址： 200093上海市杨浦区军工路516号 发 明 (设计)人： 张轩雄;茹国平 国 际 申 请： 国 际 公 布： 进入国家日期： 专利 代理 机构： 上海申汇专利代理有限公司 代 理 人： 吴宝根   摘要　   本发明公开了一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法，它通过致密光滑的非晶硅沉积技术、低温键合技术、非晶硅到微晶硅的不可逆相变控制以及微晶硅的内氧化技术的巧妙组合，避免了现有SSOI材料制备中昂贵的锗硅外延和化学机械抛光工艺，而且完全不需要像SGOI材料制作后要求后续的CMOS工艺修改等考虑，实现一种全新的SSOI材料的制作，同时达到降低SSOI的制作成本目标。

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