二氧化锡薄膜与硅异质结太阳电池

2008-7-31   来源：国家知识产权局   点击数：552次

申 请 号： 200510111017.5 申 请 日： 2005.12.01 名 称： 二氧化锡薄膜与硅异质结太阳电池 公 开 (公告) 号： CN1812136 公开(公告)日： 2006.08.02 主 分 类 号： H01L31/042(2006.01)I 分案原申请号： 分 类 号： H01L31/042(2006.01)I;H01L31/072(2006.01)I 颁 证 日： 优 先 权： 申请(专利权)人： 上海交通大学 地 址： 200240上海市闵行区东川路800号 发 明 (设计)人： 周之斌;李友杰 国 际 申 请： 国 际 公 布： 进入国家日期： 专利 代理 机构： 上海交达专利事务所 代 理 人： 王锡麟;王桂忠 摘要　   一种半导体技术领域的二氧化锡薄膜与硅异质结太阳电池。本发明包括：电池迎光面栅线电极、掺氟的二氧化锡层、二氧化硅层、n型硅基底、本征非晶硅薄膜、磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。电池迎光面栅线电极在掺氟的二氧化锡层之上，掺氟的二氧化锡层与n型硅基底的正面之间夹了一层二氧化硅层， n型硅基底的背面依次沉积本征非晶硅薄膜和磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。本发明降低了薄膜的串联电阻，背面的本征非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜与硅片构成高低结，改善了电池的电输出性能，工艺简单，产业化成本低。在 AM1.5，100mW/cm2标准光强下，太阳电池的效率达13％以上。

【打印】 【收藏】 【关闭】

更多 太阳电池 产权专利 新闻

相关新闻链接

高效硅太阳电池研制成功 (2008-10-29) 韩国研制成功玻璃窗发电的太阳电池 (2008-9-16) 中建太阳电池用压花玻璃工程技术通过鉴定 (2008-8-13) 超薄玻璃生产线锡槽入口的密封结构 (2008-8-12) 玻璃熔窑投料池密封装置 (2008-8-8) 超薄玻璃集装架 (2008-8-8)

新闻讨论区

注：请不要在评论中含与内容无关的广告链接，违者封IP。 验证码：

中国玻璃网版权与免责声明： ①凡本网注明来源：中国玻璃网www.glass.com.cn的所有文字、图片和音视频稿件，版权均为中国玻璃网www.glass.com.cn独家所有，任何媒体、网站或个人在转载使用时必须注明来源中国玻璃网www.glass.com.cn违反者本网将依法追究责任。 ②本网转载并注明其他来源的稿件，是本着为读者传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。其他媒体、网站或个人从本网转载使用时，必须保留本网注明的稿件来源，禁止擅自篡改稿件来源，并自负版权等法律责任。违反者本网也将依法追究责任。 ③ 如本网转载稿涉及版权等问题，请作者一周内来电或来函联系。