| 申 请 号: |
95207923.2 |
申 请 日: |
1995.04.17 |
| 名 称: |
新型结构的玻璃衬底内连式弱光非晶硅电池 |
| 公 开 (公告) 号: |
CN2274375 |
公开(公告)日: |
1998.02.11 |
| 主 分 类 号: |
H01L31/105 |
分案原申请号: |
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| 分 类 号: |
H01L31/105;H01L31/02 |
| 颁 证 日: |
1997.12.05 |
优 先 权: |
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| 申请(专利权)人: |
南开大学 |
| 地 址: |
300071天津市卫津路94号 |
| 发 明 (设计)人: |
孙仲林; 徐温元; 耿新华 |
国 际 申 请: |
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| 国 际 公 布: |
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进入国家日期: |
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| 专利 代理 机构: |
南开大学专利事务所 |
代 理 人: |
解松凡; 胡安朋 | 摘要 本实用新型的名称是新型结构的玻璃衬底内连式弱光非晶硅电池,属于非晶硅材料光电器件。现有技术中,采用等离子体辉光放电制备非晶硅光电器件时,有两个问题:一是器件中存在透明导电电极(ITO)使光电流传输特性不好,二是器件内部存在较多界面态,导致光电流损失。本实用新型采用了:1.在透明导电电极(ITO)和P层之间制备一高传输T层膜2,在器件的P层和I层之间制备梯度层,并进行后H+处理,使电流增大,电压增高,改善了电池的性能,扩大了电池的使用范围。
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