多层非晶硅的制造方法

2008-7-31   来源：国家知识产权局   点击数：403次

申 请 号： 97100900.7 申 请 日： 1997.04.04 名 称： 多层非晶硅的制造方法 公 开 (公告) 号： CN1167336 公开(公告)日： 1997.12.10 主 分 类 号： H01L21/02 分案原申请号： 分 类 号： H01L21/02 颁 证 日： 优 先 权： 1996.4.29 US 08/638671 申请(专利权)人： 世界先进积体电路股份有限公司 地 址： 台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路123号 发 明 (设计)人： 吴协霖 国 际 申 请： 国 际 公 布： 进入国家日期： 专利 代理 机构： 中科专利代理有限责任公司 代 理 人： 刘晓峰 摘要　    一种形成多层非晶硅的方法，包含在一半导体底材上形成一氧化硅层；在氧化硅层上形成至少二层的多晶硅层；在多晶硅层上形成一金属硅化层；及在金属硅化层上定义闸极区。本发明可以减低氟原子对于氧化硅层及整个元件的影响并可以减低多晶硅化金属与金属连线之间的电阻值。

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