叠层型光电动势装置

2008-7-31   来源：国家知识产权局   点击数：186次

申 请 号： 200610100509.9 申 请 日： 2006.06.30 名 称： 叠层型光电动势装置 公 开 (公告) 号： CN1893120 公开(公告)日： 2007.01.10 主 分 类 号： H01L31/04(2006.01)I 分案原申请号： 分 类 号： H01L31/04(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I 颁 证 日： 优 先 权： 2005.6.30 JP 2005-190930 申请(专利权)人： 三洋电机株式会社 地 址： 日本大阪 发 明 (设计)人： 岛正树 国 际 申 请： 国 际 公 布： 进入国家日期： 专利 代理 机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司 代 理 人： 龙 淳 摘要　   本发明的光电动势装置，在光入射侧配置有将非晶硅层(8)作为光电变换层的光电动势组件，在其后侧配置有将微晶硅层(5)作为光电变换层的光电动势组件，其特征在于，将利用红外吸收分光法测量作为光电变换层的非晶硅层(8)和微晶硅层(5)所得到的Si-H拉伸模式的峰值面积设定为I[Si-H]，将Si-O拉伸模式的峰值面积设定为 I[Si-O]，将它们的比设定为α(＝I[[Si-O]/I[Si-H])时，第二光电动势组件的作为光电变换层的微晶硅层(5)的α2大于第一光电动势组件的作为光电变换层的非晶硅层(8)的α1，而且，第二光电动势组件的短路电流Isc2大于第一光电动势组件的短路电流Isc1。

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