申 请 号：	200610100509.9	申 请 日：	2006.06.30
名 称：	叠层型光电动势装置
公 开 (公告) 号：	CN1893120	公开(公告)日：	2007.01.10
主 分 类 号：	H01L31/04(2006.01)I	分案原申请号：
分 类 号：	H01L31/04(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I
颁 证 日：		优 先 权：	2005.6.30 JP 2005-190930
申请(专利权)人：	三洋电机株式会社
地 址：	日本大阪
发 明 (设计)人：	岛正树	国 际 申 请：
国 际 公 布：		进入国家日期：
专利 代理 机构：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代 理 人：	龙 淳

摘要　 
 本发明的光电动势装置，在光入射侧配置有将非晶硅层(8)作为光电变换层的光电动势组件，在其后侧配置有将微晶硅层(5)作为光电变换层的光电动势组件，其特征在于，将利用红外吸收分光法测量作为光电变换层的非晶硅层(8)和微晶硅层(5)所得到的Si-H拉伸模式的峰值面积设定为I[Si-H]，将Si-O拉伸模式的峰值面积设定为 I[Si-O]，将它们的比设定为α(＝I[[Si-O]/I[Si-H])时，第二光电动势组件的作为光电变换层的微晶硅层(5)的α2大于第一光电动势组件的作为光电变换层的非晶硅层(8)的α1，而且，第二光电动势组件的短路电流Isc2大于第一光电动势组件的短路电流Isc1。