| 申 请 号: |
01815870.6 |
申 请 日: |
2001.08.27 |
| 名 称: |
玻璃衬底的预多晶硅被覆 |
| 公 开 (公告) 号: |
CN1469848 |
公开(公告)日: |
2004.01.21 |
| 主 分 类 号: |
C03C17/22 |
分案原申请号: |
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| 分 类 号: |
C03C17/22;C03C17/34 |
| 颁 证 日: |
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优 先 权: |
2000.8.28 US 09/649,724 |
| 申请(专利权)人: |
应用材料有限公司 |
| 地 址: |
美国加利福尼亚州 |
| 发 明 (设计)人: |
K·S·劳;D·梅丹 |
国 际 申 请: |
PCT/US01/26668 2001.8.27 |
| 国 际 公 布: |
WO02/019363 英 2002.3.7 |
进入国家日期: |
2003.03.18 |
| 专利 代理 机构: |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代 理 人: |
蔡胜有 | 摘要 一种用于在预退火玻璃衬底上形成多晶硅层的方法和装置。在一个技术方案中,该方法包含:在沉积室中装载预退火玻璃衬底,在预退火玻璃衬底上沉积非晶硅层,对预退火玻璃衬底进行退火,以便在其上形成多晶硅层。非晶硅层可以在进行退火步骤的同时沉积,以便在预退火玻璃衬底上生成多晶硅层。可以在沉积非晶硅层之前沉积氮化物层和/或氧化物层,并且对预退火玻璃衬底进行退火。
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